快科技6月18日消息，在全球AI算力需求持续井喷的当下，先进制程的产能瓶颈始终绕不开光刻机这道关。
当地时间6月17日，全球唯一EUV光刻机供应商ASML在SPIE EUVL 2026大会上公布最新技术路线图，一边加速推进0.55NA High-NA EUV大规模量产，一边正式抛出下一代Hyper-NA长期蓝图，这也让外界再次聚焦中国半导体的追赶路径。
ASML披露，High-NA技术产业化已进入关键阶段。首台EXE:5000于2023年四季度出货，2024年三季度完成首片晶圆曝光。升级版EXE:5200B去年四季度交付，搭载2025年亮相的1000W激光光源后产能达每小时175片。
截至2025年12月，全球已累计生产50万片High-NA晶圆。相比传统0.33NA EUV，0.55NA能将关键层曝光次数从3次减至1次，大幅压低制程复杂度。ASML资深技术高管Chris DeRuiter表示，High-NA迈向大规模量产的势头良好，将成为未来数年先进制程的核心支撑。
更受关注的是首次官宣的Hyper-NA技术，其数值孔径将突破0.75，目标是在更先进节点维持单次曝光可行性。ASML技术高级副总裁JosBen schop称，该技术预计2030年代中后期落地，刚好承接2033年A7节点之后的需求。
这里需要澄清行业普遍误区，A7常被称作"0.7nm代次"，但这只是命名规则（比如A14被外界称为1.4nm道理一样），与芯片实际物理尺寸无关，它是当前High-NA光刻机单次曝光能力的极限。
就在ASML沿着传统光刻缩微路线狂奔的同时，华为走出了另一条技术路径。上月在上海举办的ISCAS2026大会上，何庭波正式发布"韬定律"，提出以"时间缩微"替代"几何缩微"，通过逻辑折叠技术同步提升芯片性能与晶体管密度。华为计划2031年实现与1.4nm制程同等的芯片水平，今年秋季发布的麒麟2026将是该技术的首个量产案例。
两条技术路线的并行，意味着半导体产业不再只有光刻缩微这一条独木桥。对于受地缘限制无法获得先进EUV设备的中国企业而言，系统级创新或许是实现差异化追赶的可行方向。
查查配提示：文章来自网络，不代表本站观点。
